Türkiye adını uzaya yazdıracak
Abone olBilkentli mühendisler, uydularda kullanılmak üzere yüksek hızlı (RF) transistör teknolojisini milli imkanlarla geliştirdi.
Galyum nitrat temelli transistörler yüksek hızlarda,
yüksek güçlerde ve uzay radyasyonu ortamında bile çalışma özelliği
gösteriyor.
Bilkent Üniversitesi'nde geliştirilen uydu teknolojileri, 2016
yılında ASELSAN'la birlikte ticari ürün olarak üretilecek. TÜBİTAK
tarafından desteklenen ve Savunma Sanayi Müsteşarlığı (SSM)
tarafından yürütülen bir uydu projesinde geliştirilen transistör
teknolojileri, Türkiye'de üretilecek uydularda kullanılacak.
Geliştirilen malzemeyle yapılan yüksek hızlı elektronik devrelerin
uzayda çok daha uzun süre kullanılabilmesi sayesinde, iletişim
uydularının daha yüksek kapasiteyle uzun süreli çalışacağı ve bu
durumun uydularda önemli bir maliyet avantajı getireceği
belirtiliyor.
Bilkent Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik
Mühendisliği Bölümü Öğretim Üyesi ve Bilkent Üniversitesi
Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) Başkanı Prof. Dr. Ekmel
Özbay, uydularda yer alan iletişim sistemlerde kullanılacak yüksek
güçlü ve hızlı elektronik devrelerin tamamen Türkiye'de
üretildiğini ve bu teknolojinin ASELSAN ile birlikte ortak
üretiminin gerçekleşeceğini ifade etti.
Bilkent'de üretilen yüksek hızlı ve güçlü transistörlerde
kullanılan bu malzemenin daha önce uydularda hiç kullanılmadığını
ifade eden Özbay, ''Biz Türkiye'nin bu teknolojiyi uzayda kullanan
ilk ülke olmasını hedefliyoruz'' dedi.
-''Türkiye uzaya artık daha yakın''-
Prof. Dr. Özbay, Bilkent Üniversitesi ve ASELSAN'ın beraber
çalıştığı TÜBİTAK tarafından desteklenen proje kapsamında, yüksek
hızlarda ve güçlerde çalışan, uzaya uyumlu yeni nesil transistör
teknolojisini geliştirdiklerini açıkladı.
Geliştirdikleri transistörlerin galyum nitrat tabanlı olduğunu
aktaran Özbay, geliştirilen yeni nanoelektronik devreler ile
uyduların hafif olarak tasarlanmasının da mümkün olacağını
kaydetti.
Geliştirilen transistörlerin uzaya tam uyumunun da mümkün olduğunu
belirten Özbay, şöyle konuştu:
''Uydularda kullanılan transistörlerin 3 temel gereksinimi var.
Yüksek hız, yüksek güç ve uzay radyasyon ortamına uyumluluk. Biz bu
3 temel gereksinimi sağlayan transistör teknolojisini Türkiye'de
geliştirdik. İletişim uydularının en kritik kompenentleri arasında
bulunan verici antenlerinde bu transistörleri kullanıyoruz. Yani
çalışmamızla uzaya artık daha da yaklaştık diyebiliriz.''
Özbay, TÜBİTAK, SSM, Kalkınma Bakanlığı, MSB Ar-Ge ve Teknoloji
Dairesi tarafından desteklenen projeler kapsamında NANOTAM'da
oluşturulan altyapının kullanıldığı bu teknolojinin, tasarımı ve
üretimi tamamen milli olan ilk haberleşme uydu alt sisteminde
kullanılacağını dile getirerek, Bilkent Üniversitesi'nde 50
araştırmacının bu tür uzay teknolojilerinin daha da ileriye
götürülmesi için çalışmalarını sürdürdüğünü belirtti.
Bilkent Üniversitesi NANOTAM ve ASELSAN arasında ''Galyum Nitrat
Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı''
konusunda imzalanan anlaşma ile dünya çapında çok az sayıda kurumun
elinde bulunan kritik teknoloji artık Türkiye'de üretilecek.
Bilkent Üniversitesi NANOTAM ve ASELSAN'ın ortak yer alacağı
yatırım sonucunda dünyada sayılı ülkede bulunan olan ''GaN
Transistör Teknolojisi''nin ticari üretiminin Türkiye'de hayata
geçirilmiş olacak. İmzalanan anlaşma sonucunda altyapı kurma ve
geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanması ve ilk ürünlerin 2016'da
kullanılmaya başlanması öngörülüyor.